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IXFX26N100P

IXFX26N100P

MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
Numéro d'article
IXFX26N100P
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
PLUS247™-3
Dissipation de puissance (maximum)
780W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
26A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
197nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
11900pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de IXFX26N100P
IXFX26N100P Composants électroniques
IXFX26N100P Ventes
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