L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
IXFK30N110P

IXFK30N110P

MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
Numéro d'article
IXFK30N110P
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-264-3, TO-264AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-264AA (IXFK)
Dissipation de puissance (maximum)
960W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
30A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 37726 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IXFK30N110P
IXFK30N110P Composants électroniques
IXFK30N110P Ventes
IXFK30N110P Fournisseur
IXFK30N110P Distributeur
IXFK30N110P Tableau de données
IXFK30N110P Photos
IXFK30N110P Prix
IXFK30N110P Offre
IXFK30N110P Prix ​​le plus bas
IXFK30N110P Recherche
IXFK30N110P Achat
IXFK30N110P Chip