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IXFH76N15T2

MOSFET N-CH

Numéro d'article

IXFH76N15T2

Fabricant/Marque

IXYS

Série

HiPerFET™, TrenchT2™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247

Dissipation de puissance (maximum)

350W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

150V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

76A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 38A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

97nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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Coordonnées

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