Acheter IXYS IXFH60N65X2 MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IXFH60N65X2

MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

Numéro d'article

IXFH60N65X2

Fabricant/Marque

IXYS

Série

HiPerFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

Dissipation de puissance (maximum)

780W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

60A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6180pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 20737 PCS

Coordonnées

Produits connexes

IXFH100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO-247