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IXFH14N85X

IXFH14N85X

MOSFET N-CH 850V 14A TO247AD
Numéro d'article
IXFH14N85X
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247-3
Dissipation de puissance (maximum)
460W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
850V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
14A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1043pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de IXFH14N85X
IXFH14N85X Composants électroniques
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