L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
IXFH12N100Q

IXFH12N100Q

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
Numéro d'article
IXFH12N100Q
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247AD (IXFH)
Dissipation de puissance (maximum)
300W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
12A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 41255 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IXFH12N100Q
IXFH12N100Q Composants électroniques
IXFH12N100Q Ventes
IXFH12N100Q Fournisseur
IXFH12N100Q Distributeur
IXFH12N100Q Tableau de données
IXFH12N100Q Photos
IXFH12N100Q Prix
IXFH12N100Q Offre
IXFH12N100Q Prix ​​le plus bas
IXFH12N100Q Recherche
IXFH12N100Q Achat
IXFH12N100Q Chip