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IXFA230N075T2-7

IXFA230N075T2-7

MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7
Numéro d'article
IXFA230N075T2-7
Fabricant/Marque
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Package d'appareil du fournisseur
TO-263-7 (IXTA..7)
Dissipation de puissance (maximum)
480W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
75V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
230A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
178nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
10500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
-
Citation requise
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Coordonnées
Mots-clés de IXFA230N075T2-7
IXFA230N075T2-7 Composants électroniques
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