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IRFSL4227PBF

IRFSL4227PBF

MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
Numéro d'article
IRFSL4227PBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-262
Dissipation de puissance (maximum)
330W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
62A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de IRFSL4227PBF
IRFSL4227PBF Composants électroniques
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