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IRF7701GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP

Numéro d'article

IRF7701GTRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-TSSOP

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5050pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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