Acheter Infineon Technologies IRF7341PBF MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IRF7341PBF

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Numéro d'article

IRF7341PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tube

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.7A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 43370 PCS

Coordonnées