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IRF7171MTRPBF

IRF7171MTRPBF

MOSFET N-CH 100V 15A
Numéro d'article
IRF7171MTRPBF
Fabricant/Marque
Série
FASTIRFET™, HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
DirectFET™ Isometric MN
Package d'appareil du fournisseur
DIRECTFET™ MN
Dissipation de puissance (maximum)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
15A (Ta), 93A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 56A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.6V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2160pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IRF7171MTRPBF
IRF7171MTRPBF Composants électroniques
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