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IRF6810STR1PBF

MOSFET N CH 25V 16A S1

Numéro d'article

IRF6810STR1PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric S1

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET S1

Dissipation de puissance (maximum)

2.1W (Ta), 20W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16A (Ta), 50A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.1V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1038pF @ 13V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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