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IRF1018ESLPBF

MOSFET N-CH 60V 79A TO-262

Numéro d'article

IRF1018ESLPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-262

Dissipation de puissance (maximum)

110W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

79A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8.4 mOhm @ 47A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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