Acheter Infineon Technologies BSS139L6327HTSA1 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

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BSS139L6327HTSA1

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

Numéro d'article

BSS139L6327HTSA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

PG-SOT23-3

Dissipation de puissance (maximum)

360mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Depletion Mode

Tension drain-source (Vdss)

250V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

14 Ohm @ 0.1mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 56µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

76pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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