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AUIRF7343QTR

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

Numéro d'article

AUIRF7343QTR

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Type FET

N and P-Channel

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.7A, 3.4A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

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