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DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V SOT23
Numéro d'article
DMN61D8LQ-7
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23
Dissipation de puissance (maximum)
390mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
470mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
12.9pF @ 12V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 5V
Vgs (Max)
±12V
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Coordonnées
Mots-clés de DMN61D8LQ-7
DMN61D8LQ-7 Composants électroniques
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