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DMN2019UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Numéro d'article

DMN2019UTS-13

Fabricant/Marque

Diodes Incorporated

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Puissance - Max

780mW

Package d'appareil du fournisseur

8-TSSOP

Type FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.4A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

18.5 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

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