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DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
Numéro d'article
DMN2019UTS-13
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Puissance - Max
780mW
Package d'appareil du fournisseur
8-TSSOP
Type FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
5.4A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
143pF @ 10V
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Mots-clés de DMN2019UTS-13
DMN2019UTS-13 Composants électroniques
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